活性金属钎焊法(Active Metal Brazing, AMB)以其操作简单、时间周期短、封接性能好并且对陶瓷的适用范围广，是当前最有前景的陶瓷基板金属化路线。近日，国内陶瓷线路板专业生产商——珠海晶瓷电子科技有限公司的氮化硅AMB产线正式投入运营，一期产能达5万张/月。

AMB覆铜基板（来源：珠海晶瓷）

据珠海晶瓷晏总介绍，常用电子封装陶瓷基片材料包括氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化铍(BeO)等。虽然应用最广泛的当属氧化铝无疑，但导热率仅为23W/m•K的氧化铝已显疲软，并且氧化铝的热膨胀系数和芯片的差异较大，容易因内部应力造成器件损坏，传统的DBC工艺的基板冷热冲击也无法达到车规IGBT苛刻要求。因此，随着功率模块越来越高的导热需求，拥有低热膨胀系数、高强度、高热导率的氮化硅已率先在高铁、汽车电子、工业电子、通讯、军事、航空航天等领域得到广泛应用。珠海晶瓷的氮化硅AMB产品可以做到Si3N4≥70W/m.k，强度达到800MPa，最大尺寸138*90mm，最厚铜厚可达800-1200um，冷热冲击可达3000次以上，主要参数可对标甚至优于国际同行水平。

氧化铝陶瓷主要采用直接敷铜法（Direct Bonded Copper method，DBC）金属化，但非氧化物陶瓷的氮化铝、氮化硅并不适合DBC工艺，目前国际上以活性金属钎焊法为主——AMB是在钎料中加入活性元素，通过化学反应在陶瓷表面形成反应层，提高钎料在陶瓷表面的润湿性，从而进行陶瓷与金属间的化学键合。氮化硅导热率更好，膨胀系数与硅片接近，强度更大，故氮化硅的AMB工艺制作的基板可以获得更好的热稳定性和可靠性。

晶瓷核心研发团队从2015年正式进入行业，通过前期的技术输出和贸易服务，在2018年正式成立公司并快速发展壮大，晶瓷目前主要产品有厚膜印刷系列产品、DPC（直接电镀铜）、DBC相关产品。目前拥有先进的陶瓷线路板加工设备，在陶瓷激光打孔及切割、陶瓷金属化、陶瓷加厚铜电镀及通孔填孔电镀、微细线路制作等制程都具备与国际技术接轨的能力。凭借对市场的认识和自身的技术自信，公司先后于2021年1月和6月分别成立DBC和AMB专案研发小组，并迅速实现突破。

尤其是AMB项目在自主研发过程中形成了如下优势：

一：良率提升方面拥有陶瓷预处理工艺来降低钎焊孔洞率；

二：降低成本方面；掌握活性钎焊料配方；掌握钎焊层蚀刻配方，物料全部国产化，降低成本及掐脖子问题；

三：工艺稳定性方面：钎焊印刷工艺技术，降低钎焊厚度，降低成本，提升蚀刻良率的技术；

而这些技术已申请技术秘密保护，其他主要技术也正在开展专利布局。

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